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型 号：RFICP 40 |
数 量： |
| 品 牌：KRI |
包 装： |
价 格：面议 |
因产品配置不同，价格货期需要电议，图片仅供参考，一切以实际成交合同为准。 上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
射频离子源 RFICP 40 特性:
1.
离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.
2.
离子源结构模块化设计, 使用更简单; 基座可调节, 有效优化蚀刻率和均匀性.
3.
提供聚焦, 发散, 平行的离子束
4.
离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行
5.
栅极材质钼和石墨,坚固耐用
6.
离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性
KRI 射频离子源 RFICP 40 技术参数:
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型号
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RFICP 40
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Discharge 阳极
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RF 射频
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离子束流
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>100 mA
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离子动能
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100-1200 V
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栅极直径
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4 cm Φ
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离子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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3-10 sccm
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通气
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Ar, Kr, Xe,
O2, N2, H2, 其他
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典型压力
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< 0.5m Torr
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长度
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12.7 cm
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直径
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13.5 cm
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中和器
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LFN 2000
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KRI 射频离子源 RFICP 40 应用领域：
预清洗
表面改性
辅助镀膜 (光学镀膜 ) IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立
Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 邓小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 109
F: +86-21-5046-1490
M: +86 1391-883-7267
台湾伯东: 王小姐
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M: +886-939-653-958
现部分品牌诚招合作代理商,
有意向者欢迎联络上海伯东 罗先生 1520-195-1076
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