MOSFET&JFET击穿电压测试源表特点：
多功能：可作源和负载，又能测；
高效率：满足多种测试需求；
可编程控制：高精度可调，灵活控制；
IV扫描：快速、直观显示，一步操作。
应用领域：
分立半导体器件特性测试，电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT三极管、MOSFET、SIC、GaN等器件；
能量与效率特性测试，LED/AMOLED、太阳能电池、电池、DC-DC转换器等
传感器特性测试，电阻率、霍尔效应等
有机材料特性测试，电子墨水、印刷电子技术等
纳米材料特性测试，石墨烯、纳米线等
击穿电压测试源表详情请联系普赛斯仪表销售专员为您解答一八一四零六六三四七六
MOSFET&JFET击穿电压测试源表功能：
微电路 | ||
1 | 晶圆 | L-IV测试，输入曲线、输出曲线 |
2 | 芯片 | L-IV测试，输入曲线、输出曲线 |
器件 | ||
1 | 二极管 | 正向导通电压、正向电流、反向击穿电压、反向漏电流 |
2 | 三极管 | L-IV测试，输入曲线、输出曲线 |
3 | MOSFET | L-IV测试，输入曲线、输出曲线 |
4 | IGBT | L-IV测试，输出曲线、转移曲线 |
5 | 晶闸管 | 正向电压电流曲线、反向电压电流曲线、触发特性 |
电池 | ||
1 | 锂电池 | IV测试，充放电扫描曲线 |
2 | 光伏电池 | IV测试，放电扫描曲线 |
材料 | ||
1 | 石墨烯 | IV测试、输入曲线、输出曲线 |
2 | 纳米线 | IV测试、输入曲线、输出曲线 |
MOSFET&JFET击穿电压测试源表特点：
1、5寸800*480触摸显示屏，全图形化操作
2、内置强大的功能软件，加速用户完成测试，如LIV、PIV
3、源及测量的准确度为0.1%，分辨率5数位
4、四象限工作（源和肼），源及测量范围：电流100pA~1A，电压0.3mV~300V
5、丰富的扫描模式，支持线性扫描、指数扫描及用户自定义扫描
6、支持USB存储，一键导出测试报告
7、支持多种通讯方式，RS-232、GPIB及以太网
