晶体管&整流器反向漏电流测试源表认准普赛斯仪表，国产自主研发，性价比高，测试范围更广，输出电压高达300V，支持USB存储，一键导出报告，符合大环境下国内技术自给的需求，可及时与客户沟通，为客户提供高性价比系统解决方案，及时指导客户编程，加速测试系统开发，详情请联系普赛斯仪表销售专员为您解答一八一四零六六三四七六

晶体管&整流器反向漏电流测试源表简介

S系列源表是普赛斯历时多年打造的高精度、大动态范围、数字触摸的率先国产化的源表，集电压、电流输入输出及测量等多种功能，大输出电压达300V，小测试电流达100pA，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中:半导体IC或元器件，功率器件，传感器，有机材料与纳米材料等特性测试和分析。

产品特点

Ø 5寸800*480触摸显示屏，全图形化操作

Ø 内置强大的功能软件，加速用户完成测试，如LIV、PIV

Ø 源及测量的准确度为0.1%，分辨率5数位

Ø 四象限工作（源和肼），源及测量范围：电流100pA~1A，电压0.3mV~300V

Ø 丰富的扫描模式，支持线性扫描、指数扫描及用户自定义扫描

Ø 支持USB存储，一键导出测试报告

Ø 支持多种通讯方式，RS-232、GPIB及以太网

晶体管&整流器反向漏电流测试源表技术参数

大输出功率：30W，4象限源或肼模式；

源限度：电压源：±30V（≤1A量程），±300V（≤100mA量程）；

电流源：±1.05A（≤30V量程），±105mA（≤300V量程）；

过量程： 105%量程，源和测量；

稳定负载电容：<22nF；

宽带噪声(20MHz)：2mV RMS（典型值），<20mV Vp-p（典型值）；

线缆保护电压：输出阻抗1KΩ，输出电压偏移<80uV；

大采样速率：1000 S/s；

触发：支持IO触发输入及输出，触发极性可配置；

输出接口：前后面板香蕉头插座输出，同一时刻只能用前或者后面板接口；

通信口：RS-232、GPIB、以太网；

电源：AC 100~240V 50/60Hz；

工作环境：25±10℃；

尺寸：106mm高 × 255mm宽 × 425mm长；

更多有关晶体管&整流器反向漏电流测试源表信息请联系一八一四零六六三四七六

S系列源表应用

l 分立半导体器件特性测试，电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT三极管、MOSFET、SIC、GaN等器件；

l 能量与效率特性测试，LED/AMOLED、太阳能电池、电池、DC-DC转换器等

l 传感器特性测试，电阻率、霍尔效应等

l 有机材料特性测试，电子墨水、印刷电子技术等

l 纳米材料特性测试，石墨烯、纳米线等