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| 本发明提供一种发光元件，其在抑制放射角产生的发光强度和波长的分散同时，可提高光取出效率。在基板（１）上具有含有发光层（４）的化合物半导体层的发光元件（１０），该发光元件在含有作为所述化合物半导体层的光取出面的主表面的部分上具备介电率变化结构（１１），该介电率变化结构为，对于介电率不同的两种以上的物质以二维点阵状周期性地交互排列在所述主表面内（６ａ）的光子晶体结构，随机变动所述介电率的二维点阵状的周期性，从而得到非旋转对称性的介电率分布。 |
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发光元件
一种发光元件，其为在基板上具有含有发光层的化合物半导体层的发光元件，其特征在于，所述发光元件在含有作为所述化合物半导体层的光取出面的主表面的部份上具备介电率变化结构，所述介电率变化结构为，对于介电率不同的两种以上的物质以二维点阵状周期性地交互排列在所述主表面内的光子晶体结构，随机变动所述介电率的二维点阵状的周期性，从而得到非旋转对称性的介电率分布。
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| 专利号: |
200810095239 |
| 申请日: |
2008年5月5日 |
| 公开/公告日: |
2008年11月12日 |
| 授权公告日: |
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| 申请人/专利权人: |
日立电线株式会社 |
| 国家/省市: |
日本(JP) |
| 邮编: |
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| 发明/设计人: |
秋元克弥 |
| 代理人: |
钟晶 |
| 专利代理机构: |
北京银龙专利代理有限公司(11243) |
| 专利代理机构地址: |
北京市朝阳区马甸裕民路12号E1元辰鑫大厦522号(100029) |
| 专利类型: |
发明 |
| 公开号: |
101304065 |
| 公告日: |
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| 授权日: |
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| 公告号: |
000000000 |
| 优先权: |
日本2007年5月11日2007-126676 |
| 审批历史: |
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| 附图数: |
3 |
| 页数: |
10 |
| 权利要求项数: |
1 |
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