在半導(dǎo)體制造邁向3nm/5nm先進(jìn)制程的今天，芯片測(cè)試環(huán)節(jié)的溫控精度已成為決定良率的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)測(cè)試治具在晶圓高溫老化測(cè)試中普遍存在±5℃的溫控偏差，導(dǎo)致芯片性能數(shù)據(jù)失真、潛在缺陷漏檢率高達(dá)12%。針對(duì)這一行業(yè)痛點(diǎn)，東莞路登科技創(chuàng)新推出SMT芯片晶圓溫度控制測(cè)試治具，以±0.3℃的行業(yè)頂尖控溫精度，重新定義芯片測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。
三大核心技術(shù)突破
微米級(jí)熱傳導(dǎo)系統(tǒng)
采用高純度銅合金基板與納米級(jí)導(dǎo)熱涂層，熱傳導(dǎo)效率提升300%，實(shí)現(xiàn)晶圓表面溫度均勻性達(dá)98.7%。蜂巢式散熱通道設(shè)計(jì)，可快速導(dǎo)出測(cè)試過(guò)程中產(chǎn)生的瞬時(shí)高熱，避免局部熱點(diǎn)對(duì)芯片結(jié)構(gòu)的損傷。智能動(dòng)態(tài)溫控算法
集成PID自適應(yīng)調(diào)節(jié)系統(tǒng)，響應(yīng)速度較傳統(tǒng)方案提升5倍，在-40℃~150℃寬溫域內(nèi)實(shí)現(xiàn)毫秒級(jí)溫度補(bǔ)償。特別針對(duì)BGA/QFN等復(fù)雜封裝芯片，可自動(dòng)識(shí)別焊點(diǎn)熱分布差異，動(dòng)態(tài)調(diào)整測(cè)試參數(shù)。模塊化兼容架構(gòu)
采用快速更換式探針模塊，支持從8英寸到12英寸晶圓的兼容測(cè)試。浮動(dòng)壓接結(jié)構(gòu)，可自動(dòng)適應(yīng)0.1mm~1.5mm厚度差異，使治具切換時(shí)間縮短至3分鐘，設(shè)備利用率提升40%。
為客戶(hù)創(chuàng)造三重價(jià)值
良率躍升：某頭部晶圓廠(chǎng)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，采用本治具后芯片高溫測(cè)試失效率從2.1%降至0.4%，年節(jié)省返工成本超800萬(wàn)元
效率革命：支持7×24小時(shí)不間斷老化測(cè)試，單批次測(cè)試周期壓縮35%，助力客戶(hù)快速響應(yīng)市場(chǎng)波動(dòng)
數(shù)據(jù)可信：通過(guò)ISO17025計(jì)量認(rèn)證，測(cè)試數(shù)據(jù)可直接用于AEC-Q100等車(chē)規(guī)認(rèn)證，縮短產(chǎn)品上市周期
在國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備營(yíng)收年增31%的產(chǎn)業(yè)風(fēng)口下，本治具已成功導(dǎo)入中芯國(guó)際、華虹宏力等12條產(chǎn)線(xiàn)。現(xiàn)在聯(lián)系咨詢(xún)我們，解鎖芯片測(cè)試的溫控新紀(jì)元！
